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作 者:陈乐生[1,2] 乔秀清 吴兴合 贺庆[3] 穆成法 樊先平[2,3]
机构地区:[1]温州宏丰电工合金股份有限公司,浙江温州325603 [2]浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院,杭州310029 [3]浙江大学材料科学与工程学系,杭州310027
出 处:《电工材料》2012年第3期11-13,共3页Electrical Engineering Materials
摘 要:采用X射线衍射及峰形拟合技术,结合AgCd和AgSn合金相图对雾化工艺制备的AgCd和AgSn合金粉的相结构进行分析,结果表明,AgCd雾化合金粉中Cd原子进入Ag的晶格格点位置,形成固溶结构,在氧化后可以使Ag与CdO之间有比较牢固的化学键结合;AgSn雾化合金粉中含有Ag3Sn和Sn两相,析出的Sn相与Ag相晶体结构差异较大,氧化后Ag与SnO2之间的结合不牢固,这可能是导致AgCdO电接触材料比AgSnO2电接触材料性能优越的一个重要原因。X-ray diffraction and profile fitting technique were adopted to analyse the phase struc- ture of AgCd and AgSn alloy powders prepared by atomization process. Results show that, the Ag atom is partially occupied by Cd atom and thus form the AgCd solid-solution structure, resulting in stronger bond between Ag and CdO after the oxidation. For AgSn alloy, there are two phases of Ag3Sn and Sn in the powder, and the different crystal structure of Ag and Sn leads to the weaker bond between Ag and SnO2, which may be one important reason why AgCdO electricity contact material has higher performance than AgSnO2 electrical contact material.
分 类 号:TM201.3[一般工业技术—材料科学与工程]
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