一个0.9V低电压双端输出第二代电流传输器的设计  

A 0.9 V Low Voltage DOCCⅡ

作　　者：张小云[1] 王卫东[1] 

机构地区：[1]桂林电子科技大学信息与通信学院,广西桂林541004

出　　处：《电子器件》2012年第3期348-351,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：广西科学研究与技术开发计划项目(0731021)

摘　　要：介绍一个0.9 V低电压双端输出第二代电流传输器(DOCCⅡ)的设计。输入级采用衬底驱动MOSFET有效地避免了阈值电压的限制;同时采用了局部正反馈技术提高了带宽增益,因此DOCCII获得了更好的电压跟随特性。该设计电路在标准0.18μm CMOS工艺下,采用Cadence Spectre和BSIM3v3模型对其进行了调试和仿真。仿真结果显示该DOCCII具有4.8MHz的带宽,同时具有比较高的线性度和很好的输入输出电阻。A 0.9 V low voltage dual output CCII（DOCCⅡ）is presented.Bulk driven MOSFET at input avoids the limitation of threshold voltage efficiently,and a partial positive feedback is used to increase gain-bandwidth,so the Voltage follower gets high performance.Designed circuit is simulated in a standard 0.18 μm CMOS process,using Cadence Spectre and BSIM3v3 models.The result of simulation indicates this DOCCⅡ has bandwidth of 4.8 MHz and high linearity and good input and output resistance.

关 键 词：衬底驱动 0.9 V DOCCII 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]