中芯国际推出0.13微米1.2V低功耗嵌入式EEPROM平台  

出　　处：《中国集成电路》2012年第10期1-1,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：中芯国际宣布推出其1．2伏低功耗嵌入式EEPROM的平台，与其0．13微米低漏电工艺完全兼容。该平台经过流片以及IP验证，在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时，能提高数据的安全性。

关 键 词：嵌入式EEPROM 低功耗 平台 微米 国际 芯片尺寸 全兼容 安全性 

分 类 号：TN929.53[电子电信—通信与信息系统]