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出 处:《电子器件》2000年第2期85-89,共5页Chinese Journal of Electron Devices
基 金:国家自然科学基金资助项目! 69671 0 0 8
摘 要:本文研究了 (Ba1- x Srx) Ti O3系铁电陶瓷的制备工艺。讨论了配方组分、烧结工艺、工作频率等因素对材料的显微结构、介电损耗 D、温度系数α等性能的影响。研究表明 ,Sn O2 掺杂较 Zr O2 掺杂的 BST系材料的移动叠加效应要好 ;适当提高烧结温度 ,延长高温保温时间 ,有利于晶粒长大 ,进而有利于克服晶界缓冲型展宽效应 ,两者均可有效提高材料的温度系数 α,而工作频率的改变使材料测得的介电常数有所不同。另外 ,随着 Pb O掺杂量的提高 ,BST系材料的 ε- T居里峰不断提高 ,温度系数也得到了提高。Ba\-\{1-x\}Sr\-x)TiO\-3 ferroelectric ceramics were prepared. The influence of the composition and the sintering process on the microstructure, dielectric loss and temperature coefficient was discussed. Results showed that the effect of shift-superposition with SnO\-2-doped was stronger than that with ZrO\-2-doped; the higher sintering temperature and longer sintering time were in favor of the growing of crystallite and the overcoming of the widen effect of crystal energy-strip, both of which improved the temperature coefficient of dielectric constant. The working frequency had a big influence on the dielectric constant. The ε-T curve peak value and the temperature coefficient of dielectric constant will be improved along with increasing the content of doped-PbO.
分 类 号:TM28[一般工业技术—材料科学与工程] TN304.9[电气工程—电工理论与新技术]
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