电子显微镜在金属-半导体纳米线界面原位合金化中的应用  

Application of electron microscope in situ alloying at metal-semiconductor contact

作　　者：王岩国[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100190

出　　处：《分析仪器》2012年第5期23-27,共5页Analytical Instrumentation

基　　金：国家自然科学基金资助课题(项目批准号60796078;10774174)

摘　　要：利用原位电子显微方法研究了金属-ZnSe半导体纳米线界面合金化过程,结果表明:在脉冲电流的作用下,ZnSe纳米线可以产生明显的焦耳热效应,导致金属-ZnSe纳米线界面发生合金化反应。通过调整纳米线与金属电极的接触面积,可将焦耳热效应准确控制在界面内,进而实现纳米尺度的合金化反应。In situ alloying at metal-ZnSe nanowire interface has been studied by means of transmission electron microscopy. The results show interracial reaction initialized by Joule heat produced by pulse electron current flowing through the metal-ZnSe nanowire contact. The alloying can be controlled at nanoscale by adjusting the contact area between the metal electrode and the nanowire.

关 键 词：电子显微镜 原位合金化 金属-半导体界面 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]