检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]芜湖职业技术学院电子信息系,安徽芜湖241003 [2]芜湖职业技术学院基础部,安徽芜湖241003
出 处:《宿州学院学报》2012年第8期53-55,65,共4页Journal of Suzhou University
基 金:安徽省高校省级自然科学研究项目"高精度基准电源的设计"(KJ2012Z430)
摘 要:根据相关理论,设计出一个带隙基准电压源电路,包括带隙基准电压源电路核心部分、运算放大器、偏置电路以及启动电路。电路设计完成后,利用0.18μm CSMC-HJ N阱CMOS工艺模型库,使用仿真软件对电路进行仿真。工作电压1.8V,工作温度在-20℃到100℃之间。仿真结果表明,该设计的温度系数为6.1ppm/℃,随着电源电压的变化,输出电压的变化仅为0.005mV/V。According to the related theory,a bandgap voltage source circuit benchmark was designed,which includes the bandgap voltage source circuit core part benchmark,operation amplifier offset circuit and startup circuit. After the completion of the circuit design,0.18 m CSMC-HJ N trap CMOS process model library and simulation software were used to simulate the circuit. The working voltage was 1.8 V,and the working temperature was between -20℃ to 100℃. The simulation results show that the design of the temperature coefficient is 6.1 ppm/℃. Along with the change of the power supply voltage,the output voltage change is just 0. 005 mV/V.
分 类 号:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]
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