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作 者:WANG Daqing BEN Hongqi MENG Tao
机构地区:[1]Harbin Institute of Technology
出 处:《中国电机工程学报》2012年第30期I0007-I0007,9,共1页Proceedings of the CSEE
基 金:国家自然科学基金项目(51107017)
摘 要:由于单级桥式功率因数校正(power factor correction,PFC)AC/DC变换技术电路的特点,导致高频变压器存在偏磁现象,影响了系统正常工作。传统方式通过增加变压器气隙或使用隔直电容来防止变压器出现偏磁,但是该类方案影响了系统性能,并增加了电路的复杂程度。结合有源钳位单级PFC变换器工作特点,提出一种基于死区调节的偏磁抑制策略,通过改变系统的开关时序,能够有效抑制偏磁,具有不增加主电路复杂程度、不影响系统性能、数字控制和模拟控制都能够实现等优点。在提出抑制策略的基础上,设计实现电路,给出死区设计方法及影响规律,最后进行实验研究。理论分析及实验结果表明,该策略能够在不影响系统性能的基础上,有效抑制单级桥式PFC变换器的高频变压器偏磁。Single-stage full-bridge power factor correction (PFC) technique is an effective action to eliminate the pollution produced by power electronic equipment. To restrain the DC-link voltage and reduce the voltage stress of the switches, the active power clamp circuit is used in this converter as shown in Fig 1.
关 键 词:单级功率因数校正 转换器 PFC 直流偏置 全桥 助熔剂 区调 基础
分 类 号:TM277[一般工业技术—材料科学与工程] TN86[电气工程—电工理论与新技术]
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