掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质  

Photoluminescence and electrical characteristics of arsenic-doped HgCdTe

作　　者：张小华[1] 陈路[2] 林铁[1] 何力[2] 郭少令[1] 褚君浩[1,3] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院上海技术物理研究所材料器件国防实验室,上海200083 [3]华东师范大学ECNU-SITP联合实验室,上海200062

出　　处：《红外与毫米波学报》2012年第5期407-410,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家自然科学基金(10927404;61176075);国家重点基础研究发展规划资助项目(2007CB924902)~~

摘　　要：碲镉汞的电学性能和光学性能直接决定探测器性能.对窄禁带掺砷碲镉汞进行了11～300 K的红外光致发光光谱和变温霍尔测量.对变温光致发光光谱进行了拟合分析,结果表明经通用的两步退火,样品不仅存在砷占碲位(AsTe)、汞空位(VHg)和TeHg-VHg对,还存在碲反位(TeHg).掺杂浓度越大,退火产生的TeHg-VHg对越多.变温霍尔分析进一步证明通用的两步退火后材料中存在TeHg,TeHg留在材料中使迁移率减小.Electrical and optical properties of HgCdTe are crucial for detectors. Infrared photoluminescence （PL） spectra in the temperature range of 11-300K and Hall data were recorded on the arsenic-doped narrow-gap HgCdTe epilayers. Curve fittings of PL spectra indicate that AsTe 、 VHg. THg-VHg and Te.g exist in the arsenic-doped HgCdTe epilayers after the two-step annealing. More THg-VHg pairs are created when the dopant concentration is increased. Analysis of temper- ature-dependent Hall data verifies the existence of TeHg, which lowers the mobility of the material.

关 键 词：碲镉汞 光致发光 载流子浓度 

分 类 号：N8[自然科学总论]