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机构地区:[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054 [2]深圳市贝特莱电子科技有限公司,广东深圳518057
出 处:《电子元件与材料》2012年第11期55-58,共4页Electronic Components And Materials
基 金:中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(No.ZYGX2010J040)
摘 要:设计了一种应用于模数转换的高精度带隙基准电压源和电流源电路,利用温度补偿技术,该电路能分别产生零温度系数的基准电压VEEF、零温度系数的基准电流IZVAV。仿真结果显示,采用标准0.18μmCMOS工艺,在室温27℃和2.8V电源电压的条件下,电路工作频率为10Hz和1kHz时,电源抑制比(PSRR)分别为-107dB和-69dB,‰F及IZTAT的温度系数分别是20.6×10-6/℃和40.3×10-6/℃,功耗为238uw,可在2.4~3.6V电源电压范围内正常工作。A high precision bandgap reference voltage and current source circuit which was applied to analog-to-digital conversion was designed. With the help of temperature compensation technology, the circuit respectively produced a zero temperature coefficient reference voltage VREF and current IZTAr. Simulating results show that when the circuit uses a standard 0.18 μm CMOS technology, at room temperature 27 ℃, 2.8 V power supply, working frequency are 10 Hz and 1 kHz respectively, the power supply rejection ratios of the circuit are -107 dB and -69 dB, respectively, the temperature coefficients of VREF and IZTAT are 20.6×10^-6 /℃ and 40.3×10^-6/℃, respectively, power consumption is 238 μW, power supply range is 2.4 - 3.6 V when normal working.
分 类 号:TM277[一般工业技术—材料科学与工程]
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