6~18GHz小型化低噪声放大器的设计  被引量:11

Design of a Compact 6~18GHz Low Noise Amplifier

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作  者:程曦 邱义杰[2] 

机构地区:[1]四川凯特微电子技术有限公司,成都611730 [2]电子科技大学,成都611731

出  处:《微波学报》2012年第5期85-88,共4页Journal of Microwaves

摘  要:选用FUJITSU公司的GaAs HEMT管芯FHX13X,采用负反馈技术设计制作了一个小型化宽频带超低噪声放大器。利用ADS软件进行设计、优化和仿真,采用电阻负反馈改善电路频响特性,实现较好的输入输出匹配特性,同时引入电抗元件补偿管芯高频增益的下降,实现较好的动态特性。采用三级放大的电路结构形式实现了工作频率在6GHz~18GHz内,增益大于30dB,噪声系数小于1.5dB,1dB压缩点输出功率大于10dBm,带内平坦度为±2.0dB,输入输出驻波比<2。放大器的外形尺寸仅为10.9mm×9.8mm×2.7mm。A 6 - 18GHz ultra low noise amplifier is presented. The amplifier used FUJITSU's GaAs HEMT FHX13X, employs feedback techniques. The ADS software was used as a tool for design, optimization and simulationo The amplifier exhibits state of the art performance with a 1.5dB noise figure, 30dB power gain, 1 dB compression point (PldB) lOdBm, flatness :±2.0dB,the input SWR 〈2, the output SWR〈2.0 in band. The size of the amplifier is : 10. 9mm×9.8min×2.7mm.

关 键 词:超低噪声 宽带 小型化 放大器 

分 类 号:TN722.3[电子电信—电路与系统]

 

参考文献:

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