硅圆片等离子表面活化直接键合工艺研究  

作　　者：黄蓉[1] 聂磊[1] 文昌俊[1] 余军星[1] 

机构地区：[1]湖北工业大学机械工程学院

出　　处：《电子世界》2012年第21期103-104,共2页Electronics World

摘　　要：利用等离子轰击硅圆片表面,可提高其表面能,实现直接键合。在严格控制好工艺参数的情况下,用等离子体对硅圆片表面进行活化,能大大的提高键合强度,产生极少的空洞或空隙,得到一个较好的键合效果。本文针对等离子表面活化的工艺特点,选择了合理的参数,得到了较优化的工艺,试验结果证明此工艺能够实现无明显界面缺陷的直接键合。

关 键 词：等离子 表面活化 关键因素 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]