半导体异质结中的实空间转移  

Real-space Transfer in Semiconductor Heterostructures

作　　者：靳川[1,2] 陈建新[2,1] 陈振强[1] 

机构地区：[1]暨南大学光电工程研究所,广州51063 [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

出　　处：《固体电子学研究与进展》2012年第5期411-418,共8页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61176082)

摘　　要：实空间转移的机理不同于k空间转移,因而受到了广泛关注。实空间转移效应的器件是一种新型的半导体器件,有众多其它器件达不到的优点,如响应时间可达到ps级别、可以实现负阻效应等。为深入的理解半导体异质结中的实空间转移对实空间转移效应的基本原理以及它在相应器件上的应用进行了研究,概述了国际上的相关研究方向和研究进展,并提出研究思路和技术方案。Real-space transfer（RST） has drawn lots of attention internationally due to its difference with momentum space transfer.This novel device of RST has many excellent characteristics,such as responding time with order of ps and having negative differential resistance（NDR）.For deep understanding of RST,much of research work on its basic principles,the application of the different devices as well as the trends of developments,and the direction of its international related research has been done.The new research ideas and the technical solutions are also stated.

关 键 词：实空间转移 负阻效应 量子效应 

分 类 号：TN386.3[电子电信—物理电子学]