硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性  

The Optical Bistability Transient Characteristics of Silicon Optical electronic Negative Resistance Device

作　　者：郑元芬[1] 郭维廉[1] 张世林[1] 张培宁[1] 李树荣[1] 郑云光[1] 陈弘达[2] 吴荣汉[2] 林世鸣[2] 芦秀玲[2] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《电子学报》2000年第8期66-68,71,共4页Acta Electronica Sinica

基　　金：集成光电子学国家重点联合实验室!(中科院半导体所 )开放课题 ;国家自然科学基金!(No.698962 60 )

摘　　要：在本文中 ,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究 ,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究 .硅光电负阻器件包括有各种类型 ,本文主要对“λ”型双极光电负阻晶体管 (PLBT)In this paper,the relationship of circuit parameters and the optical bistability swithcing time of silicon photo electronic negative resistance device is studied.The varying response to low,medium,high light input intensity regions is also studied.There are many kinds of devices in silicon photo electronic negative resistance device.In this paper,the type of Photo Lambda Bipolar Transistor (PLBT) with resistance load and photo diode load is discussed.

关 键 词：硅光电负阻器件 PLBT 光双稳开关时间 

分 类 号：TN15[电子电信—物理电子学] TN32