检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:方国家[1] 刘祖黎[1] 王又青[1] 夏清华[2] 姚凯伦
机构地区:[1]华中科技大学激光技术国家重点实验室 [2]襄樊学院物理系信息功能材料研究室,湖北襄樊441053
出 处:《红外技术》2000年第5期5-9,共5页Infrared Technology
基 金:国家自然科学基金! (编号 :19775 0 16 );湖北省自然科学基金! (编号 :99J0 49)资助项目
摘 要:采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在透明导电玻璃 (ITO)及Si(1 1 1 )单晶基片上沉积了尺寸达 4× 4cm2 ,具有高c轴 (0 0 1 )取向生长的V2 O5薄膜。采用X射线衍射 (XRD)、拉曼光谱 (RS)、傅里叶红外光谱 (FT IR)对沉积及不同温度下退火处理的样品结构和光谱特性进行了研究。VO x thin films were succesfully synthesized . (111) using scanning laser ablation technique. The structural properties of VO x thin films s deposited and annealed in diffrent londitionwere analysed with X ray diffraction(XRD), Fourier Transform Infrared Spectrum (FT IR), Raman Spectrum (RS). The as deposited VO x thin film showed c axis orientation with polycrystalline orthorhombic structure and those annealed over 300℃ above showed higher c axis oriented growth.
分 类 号:TN304.055[电子电信—物理电子学] TN304.21
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