退火温度对Ce掺杂ZnO薄膜光学特性影响的研究  

Impact of Annealing Temperature on Ce-doped ZnO Thin Films

作　　者：崔舒[1] 王超[1] 孟庆杰[1] 

机构地区：[1]通化师范学院物理学院,吉林通化134002

出　　处：《通化师范学院学报》2012年第10期16-17,37,共3页Journal of Tonghua Normal University

摘　　要：采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片和Si-SiO2衬底上成功制备Ce掺杂ZnO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明大部分样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.PL谱中在390nm附近可观察到明显发光峰,退火温度升高能够提高本征发光峰强度,抑制可见光区发光强度.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.Ce -doped ZnO thin films were successfully prepared on ordinary glass slide and Si -SiO2 substrate by sol -gel technique. The structure, morphology and optical characteristics of the sample were characterized by X - ray diffraction （ XRD ）, atomic force microscope （ AFM ） and photoluminescence （PL） spectroscopy respectively.

关 键 词：Ce掺杂ZnO薄膜 退火温度 光学特性 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]