IDT推出业界最低功率DDR3—1866内存缓冲芯片  

出　　处：《中国集成电路》2012年第12期7-7,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：IDT公司（IntegratedDeviceTechnology，Inc．）日前推出业界首款低功率DDR3内存缓冲芯片，可在高达1866兆／秒（MT／s）的传输速率下运行。通过提升DDR3减少负载双列直插内存模块（LRDIMM）的最高数据传输速率，并使系统制造商获益于更高速度的内存容量，新器件彰显了IDT在内存接口解决方案领域的领导者地位。

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分 类 号：TN915.05[电子电信—通信与信息系统]