基于集成电路虚拟制造系统下的晶体管热现象研究  

作　　者：董志强 岳跃忠 侯志刚 范永胜 

机构地区：[1]海湾电子(山东)有限公司

出　　处：《电子世界》2012年第23期81-82,共2页Electronics World

摘　　要：首先介绍了纳米级TCAD仿真平台-Sentaurus Work bench(SWB)的功能和特点,在Sentaurus Work bench(SWB)下,进行了小尺寸NPN双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了VBE与晶格温度的因变关系,当VCE保持在3.0V、VBE达到最大值0.735V时,随器件晶格温度的升高VBE将减小,最后,笔者给出了描述晶体管温变关系的三维曲线。

关 键 词：双极性器件 热现象 集成电路 可制造性设计 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]