Ru非磁性中间层的制备及其结构研究  

Preparation and Characterization of Ru Film for Non-magnetic Intermediate Layer

作　　者：张俊敏[1] 管伟明[1] 李艳琼[1] 毕珺[1] 谭志龙[1] 王传军[1] 张昆华[1] 

机构地区：[1]昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室,昆明6501066

出　　处：《贵金属》2012年第4期38-42,共5页Precious Metals

基　　金：国家科技部院所技术开发专项(2010EG215060);云南省院所技术开发专项(2009CF003);云南省自然科学重点基金(2010ZC261);云南省自然科学基金(2010ZC55)资助

摘　　要：以不同晶面的Si片作为基底,室温下,采用射频磁控溅射的方法制备得到Ru非磁性薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分析薄膜的结构和形貌。研究不同基底材料对Ru中间层结构和形貌的影响。结果表明:以单晶Si(100)、Si(110)、Si(111)片作为基底制备的Ru薄膜均呈(002)晶面的择优取向生长;Ru-Si(100)、Ru-Si(110)和Ru-Si(111)薄膜表面均由细小的圆形晶粒组成。Si(111)面上生长的Ru薄膜表面颗粒尺寸最小,表面粗糙度最大,有利于磁记录层磁学性能的提高。Ru films were prepared by RF - megnetron sputtering method on different crystal planes of monocrystal Si. The structure and morphology of films were investigated by means of XRD, SEM and AFM. The results indicated that Ru films deposited on Si（ 100）, Si（110） and Si（ 111 ） chips were pref- erentially grown with （002） crystal face. All surfaces of Ru/Si films were composed of small round grains. The surface of Ru - Si （ 111 ） film had the most small grains and the biggest roughness in the three samples, which is benefit to improve the magnetic performance of magnetic recording layer.

关 键 词：金属材料 非磁性中间层 Ru薄膜 射频磁控溅射 

分 类 号：TG146.38[一般工业技术—材料科学与工程]