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作 者:李东翔[1,2] 秦秀波[2] 李玉晓[1] 赵博震[2] 曹兴忠[2] 王宝义[2]
机构地区:[1]郑州大学物理工程学院,郑州450001 [2]中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京100049
出 处:《材料导报(纳米与新材料专辑)》2012年第2期6-9,共4页
基 金:国家自然科学基金(61006066);国家自然科学基金重点项目(10835006)
摘 要:综述了TiO2的基本性质,并对稀磁半导体中磁性起源的理论模型做了简单分析,同时还重点以薄膜和晶体类型的TiO2为阐述对象,讨论了过渡金属掺杂、非磁性元素掺杂和未掺杂TiO2对于探究铁磁性起源的优缺点,其中未掺杂TiO2的常温铁磁性起源与氧空位之间的关系是今后需要解决的重要问题。The basic properties of TiO2 are systematically summarized, and a brief analysis on the theoretical model dealing with the origin of magnetism in the diluted magnetic semiconductors is carried out. Meanwhile, focusing on the thin film and crystal types of TiO2, the advantages and disadvantages of three kinds of samples, including tran- sition metal doped TiO2, non-magnetic elements doped TiO2 and undoped TiO2, are discussed when probe into their ferromagnetic origin. Among which, the relationship between the origin of room-temperature ferromagnetism and oxy- gen vacancies in undoped TiO2 urgently needs to be solved in future.
分 类 号:TN873.3[电子电信—信息与通信工程]
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