Cu(InAl)Se_2薄膜太阳电池的研究进展  

Recent Study Progress on Cu(InAl)Se_2 Thin Film Solar Cell

作　　者：自兴发 杨培志[2] 王海蓉[3] 

机构地区：[1]云南楚雄师范学院物理与电子科学系,楚雄675000 [2]云南师范大学可再生能源教育部重点实验室,昆明650092 [3]云南国防工业职业技术学院,昆明650092

出　　处：《材料导报（纳米与新材料专辑）》2012年第2期200-202,219,共4页

基　　金：国家自然科学基金(10864001);楚雄师范学院科学研究基金(10YJZD05)

摘　　要：具有黄铜矿结构的CuInSe2(CIS)类薄膜太阳电池随着其转换效率的进一步提高,受到日益广泛的关注。相对于CIS材料,Cu(InAl)Se2(CIAS)具有更高的禁带宽度,可用比Ga合金更小的相对浓度来实现更可观的带隙,CIAS有望取代CIS成为薄膜太阳电池的新型材料。结合最新研究进展论述了CIAS薄膜材料的不同制备方法及合成机理,并讨论了目前CIAS太阳电池研究中存在的问题和今后的发展方向。Thin film solar cells based on chalcopyrite thin films have gained increasing interest due to steady progress in conversion efficiencies. Cu（InAl） Se2 （CIAS） may be viable alternate for higher band gap than CuInSe2 （CIS） based solar ceils because it requires less relative alloy concentration than Ga alloys to achieve comparable band gap. The different preparation methods and synthesis mechanism of CIAS materials with reference to the latest re- search progress are described. The preparation disadvantage and development trends of CIAS solar cell are also pre- sented.

关 键 词：CIAS 太阳电池 制备方法 

分 类 号：TB39[一般工业技术—材料科学与工程]