梁氏引线开关二极管用硅外延材料  

作　　者：殷海丰[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《天津科技》2012年第6期7-8,共2页Tianjin Science & Technology

摘　　要：介绍了研制适合梁氏引线开关二极管用的硅外延材料的工艺过程,通过采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度进行精确控制,解决了满足梁氏引线开关二极管用的薄层高阻硅外延材料问题。

关 键 词：外延 二极管 梁氏引线 掺杂 

分 类 号：TN313.6[电子电信—物理电子学]