TSC装置投切过程分析  被引量:11

Switching Process Analysis of TSC Device

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作  者:农为踊 程汉湘[2] 

机构地区:[1]河源供电局电力调度控制中心,广东河源517000 [2]广东工业大学自动化学院,广东广州510006

出  处:《电力电容器与无功补偿》2012年第6期26-29,共4页Power Capacitor & Reactive Power Compensation

摘  要:对低压配电系统中的无功补偿电容器,一般采用晶闸管进行动态投切。文中对晶闸管的投入和切除过程的数学模型进行了详细的分析推导。理论推导结果证明无论晶闸管切除次序如何,3台电容器上的残压始终为线电压峰值的1.366、1、0.366倍;V1、V2晶闸管两端的电压始终在一定的范围变化。该结果为抑制投切过程中产生的过电压问题及TSC装置中晶闸管的参数选择提供了理论依据。Thyristors are usually used to switch reactive power compensation capacitor at low voltage distribution system. In this paper, the mathematical model for switching on and off process of thyris- tors is analyzed and derivated in detail. It is proved by the theoretically derivated result that the re- sidual voltage on 3 units of capacitors is 1. 366, 1 and 0. 366 times of the peak of line voltage re- spectively, regardless of switching sequence of the thyristors ; and the voltage on both sides of V1 and V2 thyristors are always within a definite variation. The result provides a theoretical basis for restrai- ning overvoltage in switching process and for rating parameter selection of thyristors in TSC device.

关 键 词:晶闸管投切电容器(TSC) 投切过程分析 过电压 

分 类 号:TM761[电气工程—电力系统及自动化]

 

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