2．4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计  

Whole Chip ESD Protection Design for 2.4 GHz LNA

作　　者：梁海莲[1,2] 董树荣[2] 顾晓峰[1] 韩雁[2] 

机构地区：[1]轻工过程先进控制教育部重点实验室,江南大学电子工程系,江苏无锡214122 [2]浙江大学微电子与光电子研究所,杭州310027

出　　处：《固体电子学研究与进展》2012年第6期561-564,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11074280,61171038&61150110485);江苏高校优势学科建设工程资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUDCF12027,JUDCF12032)

摘　　要：设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS-SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16dB的噪声系数和176fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6kV;电源口采用了RCMOS-SCR,实现了5kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用。The whole chip electrostatic discharge （ESD） protection for 2.4 GHz low noise amplifier （LNA） under the 0. 18 ~tm radio frequency CMOS process is proposed and verified in this paper. Complementary silicon controlled rectifier （SCR） with different layouts for RF I/O pad ESD protection is evaluated and compared with the traditional SCR and diode. Measurement results show that the island complementary SCR has good ESD protection performance. Various triggering methods used in the ESD protection structure are studied for LNA power clamp ESD protection. Results indicate that RCMOS_SCR has high robustness and turn-on speed. In the whole chip ESD protection based on the above-mentioned two structures, island complementary SCR is applied as RF I/O ESD protection, which introduce 0. 16 dB noise figure （NF） and 176 fF parasitic capacitance, at the same time it passes 6 kV human body model （HBM）. Power clamp ESD protection uses RCMOS trigger SCR, which passes 5 kV HBM. Above ESD design has been verified and applied in Fundry.

关 键 词：静电放电 低噪声放大器 可控硅 寄生电容 噪声系数 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.3