晶体管HFE参数的快速测试方法  

Rapid testing methods for transistors HFE parameter

作　　者：马新国[1] 李力军[1] 王鑫[1] 

机构地区：[1]北京自动测试技术研究所,北京100088

出　　处：《电子测试》2012年第12期1-4,10,共5页Electronic Test

基　　金：北京市优秀人才培养资助(D类)项目(编号:PYZZ090410001908)

摘　　要：随着国内半导体分立器件生产规模的发展,晶体管生产厂家及使用单位对晶体管测试速度的要求越来越高,而制约测试速度最主要的因素就是HFE参数的测试速度远远达不到现在生产的需要。本文在探讨晶体管HFE参数的通用测试方法不足的基础上,提出晶体管HFE参数先进的快速测试方法。依据此方法并结合现有半导体分立器件测试系统,主要通过硬件配合在测试系统内构造出晶体管HFE参数的快速测试单元,把测试速度由原来的1000ms提高到15ms,实现了从测试方法到技术成果的转化。Industrial semiconductor production on the testing speed is getting higher and higher requirements, the existing HFE parameter testing methods can not meet the demand rate. On basis of inadequate transistor HFE parameter testing methods, the paper gives advanced transistors HFE rapid testing methods. Based on the method combined with the existing semiconductor discrete device test systems, the hardware and test system consist of quick test unit of transistor HFE test parameters, the test speed from 1 seconds to 15 milliseconds, which realize transformation from testing method to of technology results.

关 键 词：HFE 快速测试方法 硬件配合 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学] TN307