微晶硅薄膜太阳电池的模拟计算  

SIMULATION OF MICROCRYSTALLINE SILICON THIN-FILM SOLAR CELLS

作　　者：许明坤[1] 王向贤[1] 

机构地区：[1]巢湖学院,安徽巢湖238000

出　　处：《巢湖学院学报》2012年第6期38-42,共5页Journal of Chaohu University

基　　金：安徽省高等学校省级自然科学研究项目(项目编号:KJ2012Z272)

摘　　要：本文运用AMPS-1D软件模拟仿真了P型微晶硅窗口层材料对pin型太阳电池性能的影响。结果表明,太阳电池的性能随窗口层材料带隙的变化而变化。当带隙Eμ=1.6eV时电池性能最佳,获得了7.309%的高效率。AMPS-1D mode was used to analyze the influences of the window materials on the performance of p-i-n Microcrystalline silicon solar cells. When the mobility band gap （Eμ）is 1.6eV, the performances of solar cells were optimum, 7.309% of a conversion.efficiency has been achieved.

关 键 词：仿真 带隙 微晶硅 太阳电池 

分 类 号：TN302[电子电信—物理电子学]