全片内LDO频率特性的简化电路分析方法  

Simplified Circuit Analysis of Full-chip LDO Frequency Characteristics

作　　者：杨洁[1] 杨艳军[2] 

机构地区：[1]遵义师范学院物理与机电工程学院,贵州遵义563000 [2]湖南大学物理与微电子科学学院,湖南长沙410082

出　　处：《电子产品世界》2013年第1期32-33,45,共3页Electronic Engineering & Product World

基　　金：贵州省科技厅(黔科合J字[2012]2339号)

摘　　要：对于无片外大电容的低压差线性稳压器来说,用建立小信号模型来分析系统传输函数从而推出零极点分布的方法过于复杂繁琐,本文提出一种简化电路分析方法,可以不用复杂的化简和计算就可以得出LDO的零极点位置分布,并通过几种LDO频率补偿方式为例介绍该方法的应用,最后通过仿真验证了此方法的准确性。

关 键 词：LDO 频率补偿 简化电路 

分 类 号：TM44[电气工程—电器]