雪崩整流二极管反向过电流能力的研究  

作　　者：关艳霞[1] 荣凡[1] 游培武[1,2] 潘福泉[1,2] 杨继华[1] 

机构地区：[1]沈阳工业大学信息科学与工程学院,辽宁沈阳110870 [2]扬州扬杰电子科技有限公司,江苏扬州225008

出　　处：《电源技术应用》2012年第12期35-41,共7页Power Supply Technologles and Applications

摘　　要：对雪崩整流二极管反向过电流损坏机理进行了分析，提出了在结构设计上提高反向过电流能力的措施。局部过热和双雪崩的作用是诱发器件损坏的主要原因。在结构上采用非穿通结构和尽可能提高基区掺杂浓度可提高雪崩整流二极管的反向过电流能力，理论上，双边对称突变结结构更有利于提高反向过电流能力。

关 键 词：雪崩特性 二极管 反向过电流 

分 类 号：TN313.5[电子电信—物理电子学]