长波HgCdTe红外焦平面列阵  

Long Wavelength HgCdTe Infrared Focus Plane Array

作　　者：杨文宗[1] 邓光华[1] 刘昌林[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆永川632163

出　　处：《半导体光电》1991年第4期376-380,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家863高科技基金

摘　　要：概述了以 Hg_(1-x)Cd_xTe 体材料和双异质结构外延材料为衬底,采用平面工艺研制成两种不同结构的光伏二极管列阵与用 MOS 工艺制作的信号处理器互联而成的8×8长波红外焦平面列阵。它的响应波长已达到10μm,D~*大于2×10~9cmHz^(1/2)W^(-1),非均匀性小于50%,R_0一般大于200kΩ,个别达到1MΩ以上。Two kinds of photovoltaic diodes fabricated by planar tech- nology on the substrate which is made of Hg_(1-x)Cd_xTe bulk material and double heterostructure epitaxial layer are described,along with 8×8 long wavelength infrared focus plane array interconnecting with a signal proces- sor made by MOS technology.The response wavelength of 10μm is obtained with D~*>2×10~9 cmHz^(1/2)W^(-1),inhomogeneity<50%,R_o>200kΩ(with some of values up to 1MΩ or more).

关 键 词：红外焦平面 HgedTe材料 双导质结构 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]