化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料  

作　　者：孙殿照[1] 阎春辉 国红熙 朱世荣 黄运衡 曾一平 孔梅影 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学开放实验室,北京100083

出　　处：《半导体情报》1991年第6期46-48,共3页Semiconductor Information

摘　　要：在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10^(15)cm^(-3),μ_(300K)=280cm^2/V·s,μ_(77K)=5000cm^2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/GaAs多量子阱的x光双晶衍射有10个卫星峰,光吸收谱有明显子带吸收。

关 键 词：化合物半导体 量子阱 外延生长 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]