工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计  

A Research of Pure-MOS Reference Voltage in Subthreshold

作　　者：魏全[1] 傅兴华[1] 王元发[1] 

机构地区：[1]贵州大学 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳550025

出　　处：《贵州大学学报（自然科学版）》2012年第6期72-75,共4页Journal of Guizhou University:Natural Sciences

基　　金：贵州大学研究生创新基金资助项目(理工2012018)

摘　　要：本文旨在设计一种无三极管无大电阻无运放的纯MOS电压基准源,采用的方法是利用工作在亚阈值区的NMOS和自偏置的共源共栅NMOS组合。采用CSMC(华润上华)0.5 umBiCMOS工艺,在MOS工艺角sf、27℃,得到输出基准电压为1.520 V,电路功耗仅200 nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.33 ppm/℃.This paper designs a Pure-MOS voltage reference circuit without BJT and big resistors and amplifier. The reference circuit uses NMOS transistors and self-biased cascode transistors operating in subthreshold region. The circuit is designed and simulated in a standard 0. Sum CSMC CMOS process. The output voltage and power dissipation are 1. 520 V and 200nA respectively at 27℃ at sf corner and temperature coefficience is 31.33 ppm/℃ ranging from -20℃ to 100℃.

关 键 词：纯MOS管 自偏置共源共栅 基准电压源 亚阈区 温度系数 

分 类 号：TN433.01[电子电信—微电子学与固体电子学]