分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究  

作　　者：刘斌[1] 屠玉珍[1] 顾德英[1] 金志良[1] 方祖捷[1] 周均铭[2] 黄绮[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海光机所,上海201800 [2]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《半导体情报》1991年第6期76-78,共3页Semiconductor Information

摘　　要：本文报道了GaAlAs/GaAs多量子阱激光器的实验结果。采用Zn扩散平面条形结构的6μm宽单条激光器,获得了线性输出功率大于100mW的良好结果,其阈值电流密度为2000A/cm^2,室温下特征温度大于400K。

关 键 词：半导体激光器 量子阱 分子束外延 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]