GaP:N(Te)发光谱上的声子双伴线  

Double Phonon Replica for Photoluminescence Spectra of GaP:N(Te)

在线阅读下载全文

作  者:钱佑华[1] 丁磊[1] 郑思定[2] 

机构地区:[1]复旦大学物理系,上海200433 [2]复旦大学分析测试中心,上海200433

出  处:《Journal of Semiconductors》1991年第1期12-17,共6页半导体学报(英文版)

基  金:国家自然科学基金

摘  要:根据GaP∶N(Te)的光致发光和喇曼光谱,提出了GaP∶N发光中的光学声子双伴线可能分别由LO<sup>г</sup>和它的束缚态LO<sub>XN</sub><sup>г</sup>对所产生的初步设想.另外,尝试对Te的声学声子翼中所含的组合声子作出判别.According to the Raman spectra and photoluminescence for GaP:N (Te), a pre-liminary consideration to the formation of double phonon replica is discussed. It issuggested that the doublet-linesis discussed.It is suggested that the doublet-lines.relating to the optical phonons may be originated from LO~Γ and its bound stateLO_(X,N)~Γ on nitrogen isoelectronic traps respectively. Besides, attempts have been madeto find out the individual acoustic phonons included in the phonon-combinations whi-ch result in the phonon-wings discovered recently.

关 键 词:GaP:N 光致发光 光谱 声子双伴线 

分 类 号:O433.5[机械工程—光学工程]

 

参考文献:

正在载入数据...

 

二级参考文献:

正在载入数据...

 

耦合文献:

正在载入数据...

 

引证文献:

正在载入数据...

 

二级引证文献:

正在载入数据...

 

同被引文献:

正在载入数据...

 

相关期刊文献:

正在载入数据...

相关的主题
相关的作者对象
相关的机构对象