检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]浙江大学物理系,杭州310027
出 处:《Journal of Semiconductors》1991年第9期525-529,共5页半导体学报(英文版)
基 金:国家自然科学基金
摘 要:本文用原子集团模型和 ASED-MO方法,计算了K在Si(100)2 ×1面上不同吸附位置上的结合能和K-K相互作用能,从不同吸附结构下吸附能的计算结果,讨论了饱和覆盖度下的表面结构问题,支持了由两种类型的吸附K原子键组成的双层结构模型.Using ASED-MO method and cluster model, the binding energies of K atoms on Si(100)2×1 surface for different sites and the K-K interactions are calculated.From the calculated.results of chemisorption energies for different kinds of chemisorption structures, the surfacestructure for saturated coverage is discussed, and the double layer model is confirmed.
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