暗场电子全息技术及其在应变分析中的应用  

Dark-field electron holography and its application in strain analysis

作　　者：王志峰[1] 段晓峰[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所北京凝聚态国家实验室,北京100190

出　　处：《电子显微学报》2012年第6期503-516,共14页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：973国家重点基础研究发展计划(Nos.2007CB936301;2010CB934202)

摘　　要：暗场电子全息是近年来出现的实验技术,是测量半导体器件中应变分布的有力手段。它将莫尔技术与离轴电子全息结合起来,具有空间分辨率高、视场范围大、精确度高、结果直观等优点。本文简要介绍了该技术的原理、实验方法和应用。Dark-field electron holography（DFEH） emerging in recent years is an efficient technique of the strain measurement in semiconductor devices.It combines the Morié technique and off-axis electron holography with high spatial resolution（nanometer scale）,large field of view（a few hundreds of nanometers）,and high precision.In this paper the principle,experimental methods and application of the DFEH technique have been reviewed.

关 键 词：透射电子显微镜 暗场电子全息 应变 

分 类 号：O438.1[机械工程—光学工程] TN307[理学—光学]