BSMPTx高温压电陶瓷的结构和介温特性  

STRUCTURE AND DIELECTRIC CHARACTERISTIC OF HIGH T_C BSMPTX PIEZOELECTRIC CERAMICS

作　　者：石维[1] 孔圆圆[1] 陈琳[1] 肖定全[2] 朱建国[2] 

机构地区：[1]铜仁学院物理与电子科学系,铜仁554300 [2]四川大学材料科学与工程学院,成都610064

出　　处：《中国陶瓷》2013年第2期11-13,共3页China Ceramics

基　　金：贵州省重点实验项目(2012);贵州省科技厅黔科合20112031;贵州省人事厅(TZJF2010041)

摘　　要：采用传统固相方法制备了(1-x)(0.15BiScO3-0.85PbTiO3)-xBi(Mg1/2Ti1/2)O3(BSMPTx)压电陶瓷体系,并利用XRD,SEM,介温等仪器和方法分析表征样品。XRD测试结果显示,Bi(Mg1/2Ti1/2)O3有助于0.15BiScO3-0.85PbTiO3陶瓷的烧结,当x=0.05～0.1时,可获得单一四方相钙钛矿结构的BSMPTx陶瓷,BSMPTx体系具有较大的四方畸变度(c/a>1.1);介温测试表明BSMPTx体系的居里温度高于没有掺杂0.15BiScO3-0.85PbTiO3陶瓷,其居里温度Tc超过500℃,最高的居里温度组分为BSMPT0.1,Tc～540℃;实验表明该压电陶瓷体系的弱压电活性跟较大的四方畸变有关系。（1-x）（O.15BiScO3-O.85PbTiO3）-xBi（Mg1/：Til/2）O3（BMSPTx） ceramics were prepared by conventional solid reaction. BMSPTx ceramics were characterized by XRD, SEM and dielectric-temperature characterization. The results show that X-ray diffraction （XRD） of BMSPTx indicates the perovskite phase with the single tetragonal peroviskite sructure in the range of Bi（Mgl/2Ti1/2）O3 content. Furthermore, the BMSPTx system obtained large lattice distortion （c/a〉l.1）, combining with lower piezoelectricity. It was also found that highest value of the Curie temperature （Tc=540℃） at x=0. 124.

关 键 词：压电陶瓷 居里温度 四方畸变 压电性能  钙钛矿 

分 类 号：TM223[一般工业技术—材料科学与工程]