Gd_3Ga_5O_(12):Ag薄膜电致发光浓度和退火温度特性的研究  

Investigation on Ag Concentration and Post-depositi on Annealing of Gd_3Ga_5O_(12) Thin Film Electroluminescence

作　　者：徐征[1] 许秀来[1] 陈晓红[1] 章婷[1] 申德振[2] 

机构地区：[1]北方交通大学光电子技术研究所,北京100044 [2]中国科学院激发态物理开放实验室,长春130021

出　　处：《光电子．激光》2000年第3期262-265,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家"八六三"计划资助项目!( 71 5 - 0 0 82 );教育部博士点基金 ;国家自然科学基金!( 1 99740 0 2 );中国科学院激发态物理开

摘　　要：本文研究了 Ag+的浓度对 Gd3Ga5O12 薄膜光致发光和电致发光的影响。当 Ag+的浓度达到 0 .2at% ,薄膜的光致发光发生很强的淬灭 ,但是电致发光的淬灭浓度却达 1at%。通过对不同浓度的薄膜样品的吸收光谱的测量 ,发现随着 Ag+的浓度的升高 ,吸收边发生红移。由于 Gd3Ga5O12 :Ag薄膜电致发光有一部分是属于带间激发 ,所以电致发光的淬灭浓度要比光致发光高。Gd3Ga5 O12 :Ag薄膜的退火有助于提高晶格的完整性、光致发光及电致发光的强度。We have investigated the dependence on various Ag + concentration for photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL ) of Gd 3Ga 5O 12 :Ag thin film,respectively.A rapid quenc hing of PL is observed above 0.2 at% of Ag concentration due to lattice defects and impurity atoms,however,the optimal concentration of Ag + in the EL efficiency is about 1 at%.The lattice absorption edge is red shift with increasing of Ag co ncentration.Pos t-deposition annealing greatly has reduced the lattice imperfections,improved t he PL and EL intensity.The best luminance of the EL devices annealed at 450 ℃ i s about 20 cd/m 2 when driven at 5 000 Hz.

关 键 词：薄膜 电致发光 浓度 退火温度特性 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] O484.4[理学—固体物理]