Co SiO_2颗粒膜的巨磁电阻效应  

GIANT MAGNETORESISTANCE OF Co\|SiO_2 NANO\|GRANULAR FILMS 

作　　者：徐庆宇[1] 倪刚[1] 谷坤明[1] 桑海[1] 陈浩[1] 陆钧[1] 都有为[1] 

机构地区：[1]南京大学固体微结构国家重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学报》2000年第1期128-131,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金;纳米材料科学攀登项目;江苏省自然科学基金

摘　　要：采用离子束溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的ＣｏＳｉＯ２ 颗粒膜样品，并对样品的巨磁电阻效应进行了研究．在Ｃｏ３５（ＳｉＯ２）６５（ 体积百分比） 颗粒膜样品中，观测到室温下近４ ％ 的巨磁电阻效应．研究了不同基片温度对巨磁电阻效应的影响并发现，随着基片温度的升高样品的巨磁电阻效应下降．根据样品的电阻率温度关系曲线分析，在铁磁金属非磁绝缘介质颗粒膜中，除了电子自旋相关隧穿效应外。The heterogeneous Co\- x (SiO\-2) 1-x thin granular films have been fabricated on glass substrates by the ion\|beam co\|sputtering technique at different temperatures.The films with 200?nm thickness consist of granules (cobalt) embedded in nonmagnetic matrix (SiO\-2).A giant magnetoresistance (GMR) ratio of about 4% at room temperature has been observed for x =35% (volume fraction).The GMR ratio of samples decreased while increasing the substrate temperature ( T s).By studying the V\|I curve and ρ T curve of the Co 35 (SiO\-2) 65 sample,we conclude that besides the spin\|dependant tunneling,there may exist another mechanism resulting in the GMR effect of the ferromagnet\|insulator nano\|granular film,which needs further study.

关 键 词：钴-二氧化硅 颗粒膜 巨磁电阻效应 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理]