红外探测器的最新进展  

New Development of Infrared Detector

作　　者：陈长水[1] 刘荣挺[1] 刘颂豪[1] 

机构地区：[1]华南师范大学激光生命教育部重点实验室,广东广州510631

出　　处：《大气与环境光学学报》2013年第1期1-10,共10页Journal of Atmospheric and Environmental Optics

基　　金：国家自然科学基金面上项目(60878063);广东省自然科学基金重点项目(10251063101000001;8251063101000006);广东省重大科技专项计划项目(00760211330304099)资助

摘　　要：首先,简述红外光电探测器的发展历史以及分类,可分为室温探测器和低温探测器。然后对每种探测器所使用的材料进行了介绍,室温探测器介绍了氧化钒、无定型硅,低温探测器介绍了碲镉汞(HgCdTe)、量子阱和锡化物超晶格,以及它们在三代红外光电探测器方面的研究进展。最后,介绍了黑硅材料以及黑硅在探测器应用中的最新进展。Firstly,the history and types of infrared detector are shown,including room tempreture and low temperture infrared detector.Second,the material for every kind of infrared detector are analyzed,including VOx,a-Si for room tempreture detector and HgCdTe,QWIP,Tin iodide superlattice for low tempreture detector.Finally,black silicon for infrared detector is introduced.

关 键 词：红外探测器 室温探测器 低温探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]