微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化  

Optimization of the longitudinal structure of intrinsic layer in microcrystalline silicon germanium solar cell

作　　者：曹宇[1] 张建军[1] 李天微[1] 黄振华[1] 马峻[1] 倪牮[1] 耿新华[1] 赵颖[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071

出　　处：《物理学报》2013年第3期223-229,共7页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707);天津市应用基础及前沿技术研究计划(批准号:12JCQNJC01000);中央高校基本科研业务费专项资金资助~~

摘　　要：采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响,提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层.优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性,而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布,使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高.采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结叠层电池转换效率达到了9.54%.Using radio-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition, based on the influences of discharge power on structural and photoelectric properties of μc-SiGe：H thin films, RF power profiling technique is developed during the deposition of μc-SiGe：H intrinsic layer. The optimized μc-SiGe：H intrinsic layer not only maintains homogeneity of the crystalline volume fraction along the depth profile, but also forms a band gap profiling configuration from wide to narrow in the direction of growth. By this method, the fill factor and the short-circuit current density of μc-SiGe：H solar cell are significantly improved, and an efficiency of 9.54%for the a-Si：H/μc-SiGe：H tandem solar cell is achieved.

关 键 词：微晶硅锗 辉光功率 带隙调节 太阳电池 

分 类 号：TM914.41[电气工程—电力电子与电力传动]