第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文选登 多晶硅电池叠层抗反射层的设计研究  

作　　者：丁武昌[1] 贾锐[1] 崔冬萌[1] 陈晨[1] 孟彦龙[1] 乔秀梅[1] 金智[1] 刘新宇[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所

出　　处：《太阳能》2013年第1期35-37,共3页Solar Energy

基　　金：科技部2009CB939703;2012AA050304;NSFC51172268;11104319;2013年度基金重点;北京市Y2BK024001;中科院Y1YT064001;Y1YF034001;Y2YF014001

摘　　要：根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果。利用该计算模型,设计了多种表面反射结构,其中硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜,在AM1.5光谱下其积分反射率最低可达到4.38%;分析了不同硅量子点体积比对于该双层抗反射膜的影响,系统给出了实际生长该双层抗反射层的具体参数,即富硅氮化硅中的Si∶N=1∶1时即可达到较好的表面抗反射效果。

关 键 词：抗反射 特征导纳 硅量子点 太阳电池 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]