碱性蚀刻液影响PCB蚀刻速率的因素研究  

Study on influencing factors of alkaline etching solution about etching rate

作　　者：王跃峰[1] 王金来[1] 周乃正 信峰 

机构地区：[1]运城学院物理与电子工程系,山西运城044000 [2]博敏电子股份有限公司,广东梅州514000

出　　处：《印制电路信息》2013年第2期18-20,共3页Printed Circuit Information

摘　　要：采用正交试验方法,研究了碱性氯化铜蚀刻液中(Cu2+)、(Cl-)、pH值、及蚀刻液温度对铜箔蚀刻速率的影响规律。结果表明:在因素水平范围内,对蚀刻速率影响的大小顺序为蚀刻液温度>Cu2+浓度>pH值>Cl-浓度,最佳蚀刻工艺条件为(Cu2+)=100g/L,(Cl-)=120g/L,pH=8.5,T=50℃,静态蚀刻速率可达8.76 m/min。Using orthogonal experiment, the effects of （Cu2＋）, （Cl-）, pH value and etching solution temperature in alkaline copper chloride solution influencing etching rate were studied. The results show that the sequence of influencing etching rate are etching solution temperature, （Cu2＋）, （Cl-） and pH, in the range of the factors. The optimal etching process conditions are （Cu2＋）=100g/L, （Cl-）=120g/L, pH=8.5, T=50℃and the rate of static etching is up to 8.76μm/min.

关 键 词：正交试验 碱性蚀刻液 氯化铜 蚀刻速率 影响因素 

分 类 号：TQ9[化学工程]