RFID读写器中高集成度的CMOS功率放大器的设计和分析  

Design of CMOS High Integrated Power Amplifier in RFID Readers

作　　者：黄捷克[1] 戴庆元[1] 刘冲[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微纳米科学技术研究院集成电路实验室,上海200240

出　　处：《电源技术应用》2013年第1期29-32,共4页Power Supply Technologles and Applications

摘　　要：介绍了设计的一个采用0．18μm的CMOS工艺的Class—E类的功率放大器。它可以提供最高为20dB的输出功率，以及输出功率在14．5dB的时候可以达到1dB的输出增益，最大的功率附加效率可以达到32．1％。文中还分析了这款功率放大器的频谱特性和RF协议。A fully-integrated on-chip CMOS power amplifier for P, FID reader is inductanced. Bonding wire inductor possesses a high quality factor Q, and can achieve high efficiency and high output power. Class-E power amplifier using 0.18 μm CMOS process providing maximum output power of 20 dB were designied, and 1 dB of output gain can be achieved in the output power of 14.5 dB maximum power added efficiency achieves 32.1%. Spectral properties of this power amplifier and RF protocol also are analyzed.

关 键 词：功率放大器 接合线电感 CLASS-E 品质因数Q 频谱屏蔽 

分 类 号：TN957[电子电信—信号与信息处理]