高纯硅中痕量元素分析方法研究进展  

Progress of Researches of Methods for Determination of Trace Elements in High-Purity Silicon

作　　者：刘洁[1,2] 钱荣[1] 卓尚军[1] 何品刚[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所上海质谱中心,上海200050 [2]华东师范大学化学系,上海200062

出　　处：《理化检验（化学分册）》2013年第1期121-127,共7页Physical Testing and Chemical Analysis(Part B:Chemical Analysis)

基　　金：国家自然科学基金(211102157);中国科学院仪器设备功能开发技术创新项目(Y27YQ1110G);中国科学院上海硅酸盐研究所创新项目(O97ZC1110G)

摘　　要：综述了从1980-2012年间测定高纯硅中痕量元素分析方法的研究进展。高纯硅中痕量元素的主要分析方法包括红外光谱法、原子发射光谱法、原子吸收光谱法、X射线荧光光谱法、极谱法、离子探针与离子色谱法、二次离子质谱法、辉光放电质谱法、电感耦合等离子体质谱法等;并对高纯硅中痕量元素的分析方法进行了展望(引用文献59篇)。A review of the methods of determination of trace elements in high-purity silicon, including IRS, AES, AAS, XRF, polarography, ion probe analysis, IC, SIMS, GDMS and ICP-MS, reported mainly in the years from 1980 to 2012, was presented in this paper. Trends of study and development in this field were also outlined （59 ref. cited）.

关 键 词：高纯硅 痕量元素 综述 

分 类 号：O657.3[理学—分析化学]