电化学法涂层导体CeO_2缓冲层外延生长研究  

Preparation of the CeO_2 buffer layers for high-temperature superconducting coated conductors by electrodeposition

作　　者：桑丽娜[1] 刘志勇[1] 鲁玉明[1] 朱红妹[1] 张义邴[1] 蔡传兵[1] 

机构地区：[1]上海大学超导及应用技术研究中心,上海200444

出　　处：《低温与超导》2013年第3期38-43,共6页Cryogenics and Superconductivity

基　　金：国家自然科学基金(11174193);上海市科委(11dz1100302);国家"973"项目(2011CBA00105);国家"863"项目(2009AA03Z204)资助

摘　　要：电化学沉积法制备高温超导YBa2Cu3O7-δ涂层导体缓冲层具有工艺简单、设备要求低、易于连续化批量制备等优点。采用电化学沉积法,在双轴织构的Ni-5at.%W(Ni-5W)金属基带上成功制备出了具有良好c轴取向的CeO2缓冲层薄膜。利用X射线衍射、极图、扫描电子显微镜和原子力显微镜等对上述氧化物薄膜的织构、表面形貌等进行表征。重点研究了薄膜厚度、退火温度、退火时间等工艺对薄膜外延生长及其表面形貌的影响,结果表明:电化学沉积方法制备的CeO2缓冲层具有很好的双轴织构、表面平整、均一,粗糙度低,表现出良好的缓冲层性质。结合金属有机化学溶液超导层的制备技术,本工作展示了一条全化学法制备第二代高温超导带材的技术路线,具有很好的应用前景。Electro -deposition technique （ED） is a simplify and low cost technique which is easy to realize the reel -to - reel preparation of YBa2Cu307 -δcoated conductor buffer layers. In the present work, CeO2 buffer layers were epitaxially grown on （00l） Ni - 5W biaxially textured substrates using electro -deposition technique. The texture and surface topography of buffer films were characterized by X- ray diffraction （XRD）, pole figure, scanning electron microscope （SEM） and atomic force mi- croscope （AFM）. The CeO2 buffer layers show well hi -axial texture and low surface roughness with FHWM value and RMS a- bout 5.2°and 2 nm, respectively, a improvement compare to Ni -5W suhstrates, which is suitable for subsequent buffer layers and YBCO films epitaxial grown.

关 键 词：YBA Cu3O7—δ 涂层导体 电化学沉积 缓冲层 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]