SiC新一代电力电子器件的进展(续)  

Progress of the New Generation SiC Power Electronic Devices ( Continued)

作　　者：赵正平[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司,北京100846

出　　处：《半导体技术》2013年第3期161-167,共7页Semiconductor Technology

摘　　要：5 SiC JFET SiC JFET利用p-n结耗尽区来控制沟道电流,可全面开发SiC的高温性能,适合高温高功率开关。SiC JFET通常是常开的,关断需加负栅压,其具有本征安全的栅驱动控制。SiC JFET具有低开关损耗、高开关频率的特点。1999年,P.Friedrichs等人[46]研发了第一代4H-SiC JFET,浪涌电流能力为200 A/cm2,到2004年经历三代SiC JFET技术。

关 键 词：4H-SIC 电力电子器件 JFET 高温性能 驱动控制 低开关损耗 沟道电流 P-N结 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.24