量子点中的界面极化子和多孔硅发光现象  

作　　者：邹炳锁[1] 解思深[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《科学通报》2000年第21期2267-2273,共7页Chinese Science Bulletin

摘　　要：量子点中的极化子效应是当前量子点研究中的重要问题, 其特征急需了解. 提出了量子点中量子限域极化子的概念、可能性和能量随尺寸的变化规律, 指明本征声子和外来声子都可能对其形成有贡献. 利用此模型分析了多孔硅体系中的光谱特征, 发现表面覆有氧化层的纳米硅的行为十分符合量子限域极化子的特征.

关 键 词：多孔硅 发光 界面极化子 量子点 半导体 

分 类 号：O431.2[机械工程—光学工程]