Hg敏化光CVD SiO_2薄膜最佳工艺条件的研究  

THE STUDY OF OPTIMUM PROCESS CONDITION OF Hg SENSITIZATION PHOTO-CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SiO_2FILMS

作　　者：景俊海[1] 孙青[2] 

机构地区：[1]西安电子科技大学物理系,西安市710071 [2]西安电子科技大学

出　　处：《材料科学进展》1991年第2期164-168,共5页

摘　　要：本文叙述了 Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备 SiO_2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约 200℃,而淀积时间、反应室总压力和气体流量分别在30—50min、30—50Pa 和300—500 Sccm 范围内选取时,可得到最佳的薄膜。This paper discussed the principle and method of Hg sensitizationphoto-chemical vapor deposition films,studied optimum process condition of fabricationSiO_2 films.The results show that optimum process conditions:substrate temperature isabout 200℃,deposition time is about 30—50min,reactor pressure is about 30—50 Pa andgas flow is about 300—500 Sccm.

关 键 词：Hg敏化 光-CVD SIO2薄膜 低温 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]