a-Si/SiO_2超晶格结构的非线性光学性质  

作　　者：刘宁宁[1] 孙甲明[1] 潘少华[1] 陈正豪[1] 王荣平[1] 师文生[1] 王晓光[1] 陈凡[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所光物理实验室,北京100080

出　　处：《科学通报》2000年第22期2382-2387,共6页Chinese Science Bulletin

摘　　要：用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格．利用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射技术对其结构进行了分析，并采用多种光谱测量手段，如Ｒａｍａｎ光谱、吸收光谱和光致发光谱，对该结构的光学性质进行了研究．结果表明，随纳米Ｓｉ层厚度的减小，Ｒａｍａｎ峰发生展宽，吸收边以及光荧光峰发生蓝移．用单光束Ｚ扫描技术研究了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格结构的非线性光学性质．这一结果较多孔硅的相应值大两个量级．还对影响非线性效应增强的因素进行了讨论．

关 键 词：光谱研究 a-硅/二氧化硅超晶格 非线性光学性质 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]