一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵  

A new charge pump for PLL Clock in phase change memory

作　　者：宏潇[1] 陈后鹏[1] 宋志棠[1] 刘波[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室,上海200050

出　　处：《电路与系统学报》2013年第1期449-452,共4页Journal of Circuits and Systems

基　　金：国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003);国家重点基础研究发展计划(2010CB934300;2011CBA00602;2011CB932800);国家自然科学基金(60906004;60906003;61006087;61076121);上海市科委资助项目(1052nm07000)

摘　　要：设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿真结果表明输出电压在0℃～80℃温度范围内最大仅有11mV的偏差,其与PFD所产生的相位噪声在1MHz频率下为-102dB。电路采用40nm CMOS工艺设计,电源电压2.5V,功耗0.125mW,芯片面积60 m×55 m。A low phase noise,low power charge pump for the PLL clock of phase change memory drive circuit is presented.Comparing different structure circuit,the proposed charge pump has strong immunity to the clock feedback and charge injection.Based on the low noise requirement of phase change memory,the charge pump has low heat noise and 1/f noise.The maximum deviation of output voltage is only 11mV within temperature range from 0℃ to 80℃.The phase noise is-102dB@1MHz with PFD circuit.Fabricated in CMOS 40nm process,the device occupies the area of 60 m×55 m,and consumes 0.125mW of power from a single 2.5V supply.

关 键 词：电荷泵 锁相环 相位噪声 相变存储器 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]