±20Mvar STATCOM装置的GTO关断吸收电路  

Snubber circuit for 4.5kV/4kA GTOs in a ±20Mvar STATCOM

作　　者：刘文华[1] 宋强[1] 王志泳[1] 王仲鸿[1] 方志民[2] 刘遵义[2] 

机构地区：[1]清华大学电机工程与应用电子技术系,北京100084 [2]河南省电力公司,郑州450000

出　　处：《清华大学学报（自然科学版）》2000年第7期12-15,共4页Journal of Tsinghua University(Science and Technology)

摘　　要：分析了大功率门极可关断晶闸管 ( GTO)关断过程中过电压 V1,V2 和 V3的形成原因及抑制过电压的措施。通过对几种低损耗吸收电路的分析 ,设计了± 2 0 Mvar静止同步补偿器 ( STATCOM)装置中 4.5k V/ 4 k A GTO吸收电路。设计的吸收电路为低损耗的带钳位的三角形吸收电路。给出的关断试验结果证明了抑制过电压措施的必要性及正确性 ,并证明了所设计的吸收电路完全满足大功率两电平GTO逆变器装置的使用要求。This paper analyzes the generation of over voltages V 1 , V 2 and V 3 during the turnoff of gate turn off thyristor (GTOs) and proposes measures to decrease the over voltages. Analyses of the features of conventional RCD snubber circuits and three kinds of low loss snubber circuits are used to develop the snubber circuit for 4.5kV/4kA GTOs in a ±20Mvar static synchronous compensator (STATCOM) installation. Experimental results demonstrate that the proposed snubber circuit is very effective for large capacity two level GTO inverters.

关 键 词：门极可关断晶闸管 吸收电路 STATCOM 关断过程 

分 类 号：TM76-39[电气工程—电力系统及自动化] TN342.4[电子电信—物理电子学]